Mile Ivanda

Mile Ivanda

Dr. Sc.; Voditelj Laboratorija za molekulsku fiziku

znanstveni savjetnik
+385 1 456 0928

1226
1231

Krilo 6/210

Bijenička cesta 54, Zagreb

Bibliografija

CV_Form_HRZZ-Mile Ivanda-hrv.doc 198,50 kB

Obrazovanje

1992 - Doktorska disertacija, Sveučilište u Zagrebu. Naslov: “Struktura i vibracijski fenomeni amorfnog silicija”, voditelj: dr.sc. K. Furić.
1990 - Magistarski rad, Sveučilište u Zagrebu. Naslov: “Istraživanje strukturnih svojstava amorfnog silicija Ramanovom spektroskopijom”, voditelj: dr.sc. K. Furić.
1986 - Diplomski rad iz područja fizike, Sveučilište u Zagrebu. Naslov: “Metoda termičkog vala u AC kalorimetriji”, voditelj: dr.sc. Danijel Đurek.
1981-86 - Studij fizike inžinjerskog smijera, Sveučilište u Zagrebu.
1980-81 - Vojni rok
1980 - Matura, MIOC, Zagreb

Područja znanosti

prirodne znanosti, fizika, fizika kondenzirane tvari

Projekti

2011-2013 “Fizika i primjena nanostruktura i balk tvari”, Voditelj: M. Ivanda, Izvor financ.: MZOŠ, Hrvatska.

2012-2014  “Novi nanostrukturni materijali za termoelektrike”, Voditelj: M. Ivanda; voditelj slovenske strane: Z. Crnjak-Orel et al.; Hrvatsko-Slovenski bilateralni project,  Izvor financ.: MZOŠ, Hrvatska.

2010-2013 “Novel silicon based materials for optoelectronics”; Vrijednost 149.000 eura. Izvor financiranja: FP7 People - "Marie Curie" u Voditelj: D. Ristić. Financira se suradnja grupa M. Ferrarija, i M. Ivande, te se pokriva trogodišni post-doc. boravak D. Ristića u Trentu. Uzorci se rade metodom LPCVD u Zagrebu.
2007-2011 “Fizika i primjena nanostruktura i balk tvari”, Voditelj: K. Furić, sudjelovanje: M. Ivanda et al.; Izvor financ.: MZOŠ, Hrvatska.
2002-2006 “Fizika i primjena nanostruktura”, Voditelj: K. Furić, sudjelovanje: M. Ivanda et al., Izvor financ.: MZOŠ, Hrvatska.
2005  “Structure and optical properties of nanocrystaline silicon and cadmium sulfide –selenide for optoelectronics”; Voditelj: M. Ivanda; sudjelovanje:  G.C. Righini et al., Izvor financ.: NATO.
2003-2005 “Research on disordered materials; nano-optical layers”, Voditelj: M. Ivanda; voditelj slovenske strane: Z. Crnjak-Orel et al.; Hrvatsko-Slovenski bilateralni project, Izvor  financ.: MZOŠ, Hrvatska.
2002-2004 “Implementacija i razvoj LPCVD procesa” Voditelj: M. Ivanda; sudjelovanje: K. Furić et al., Izvor financ.: MZOŠ u okviru programa tehnologijskog razvoja Republike Hrvatske.
2000-2002  “Study by Raman and optical techniques of nanostructures synthesized by ion bombardment”, Voditelj: G. Mariotto; sudjelovanje: M. Ivanda et al., Izvor financ.: Instituto Nazionale per la Fisica della Materia - MURST u okviru programa COFIN-98.
1996-2002  “Raspršenje svjetla, interakcije i dinamika materije”, Voditelj: K. Furić, sudjelovanje: M. Ivanda et al., Izvor financ.: MZOŠ, Hrvatska.
1995-1996 “Structure and metastable states of a-Si:H and a-SiC:H", Voditelj: M. Ivanda; sudjelovanje: W. Kiefer et al.; Funding source: Alexander von Humbolt Foundation
1991-1996 “Vibracijski fenomeni i interakcije u kondenziranoj materiji”, Voditelj: K. Furić, sudjelovanje: M. Ivanda et al., Izvor financ.: MZOŠ, Hrvatska.
1995 “Selektive Reaktionen Metall - Aktivierter Moleküle”, Voditelj: W. Kiefer; sudjelovanje: M. Ivanda, et al., Izvor financ.: Deutsche Forschung Gemeinschaft
1994 “Structural properties and metastable states of a-Si: and a-SixC1-x:H”, Voditelj: M. Ivanda; sudjelovanje: W. Kiefer et al.; Izvor financ.: Europska Zajednica

Nagrade i priznanja

2007 MIPRO Konferencija; Nagrada za najbolji znanstveni rad
2005 NATO nagradna istraživačka stipendija
1993-1995 Alexander von Humboldt nagradna stipendija
1992 Poslije-doktorska nagradna stipendija Europske Zajednice

Nastava

2007-2011 M. Ivanda:“Eksperimentalne metode fizike u prirodnim znanostima”, Interuniverzitetski poslijediplomski studij Molekularne bioznanosti, Sveučilište Josipa Jurja Strossmayera u Osijeku, Institut Ruđer Bošković Zagreb, Sveučilište u Dubrovniku
2006-2011 K. Furić i M. Ivanda: “Fundamenti i primjene nanostruktura”, Sveučilišni znanstveni poslijediplomski studij INŽENJERSKA KEMIJA, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije
2005-2006 M. Ivanda: “Eksperimentalne metode moderne fizike”, Diplomski studij Proirodoslovno-matematičkog fakulteta, Sveučilište u Zagrebu
1987-1988 M. Ivanda: Fizički praktikum III, Diplomski studij Proirodoslovno-matematičkog fakulteta Sveučilišta u Zagrebu.

Istaknute publikacije

  1. M. Ivanda, Raman-scattering measurements and fracton interpretation of vibrational properties of amorphous silicon, Phys. Rev. B 46, 14893 (1992).
  2. M. Ivanda, I. Hartmann, and W. Kiefer, Boson peak in Raman spectra of amorphous gallium arsenide: Generalization to amorphous tetrahedral semiconductors, Phys. Rev. B 51, 1567 (1995).
  3. T. Bishof, M. Ivanda, et al., Linear and nonlinear Raman studies on CdSxSe1-x dopes glasses, J. Raman Spectr. 27, 297 (1996).
  4. U. V. Desnica,  I. D. Desnica, M. Ivanda, K. Furić and T. E. Haynes, Morphology of the implantation-induced disorder in GaAs studied by Raman spectroscopy and ion channeling, Phys. Rev. B 55, 16205 (1997).
  5. M. Ivanda, et al., Low temperature anomalies of cuprite, Cu2O, observed by Raman spectroscopy and x-ray powder diffraction, J. Raman Spectr. 28, 487 (1997).
  6. O. Gamulin, M. Ivanda, U. V. Desnica and K. Furić, Comparison of structural changes of amorphous silicon by thermal and cw laser annealing, J. Mol. Struct. 410-411, 249 (1997).
  7. S. Musić, M. Gotić, M. Ivanda, S. Popović, A. Turković, R. Trojko, A. Sekulić, and K. Furić, Chemical and microstructural properties of TiO2 synthesized by sol-gel procedure, Mater. Sci. & Engineering B 47, 33 (1997).
  8. M. Ivanda, et al., Resonance-effects in photo-luminescence froom deep traps in CdSxSe1-x doped glasses, J. Appl. Phys. 82, 3116-3119 (1997).
  9. O. Gamulin, M. Ivanda, U. V. Desnica, and K. Furić, Structural relaxation of amorphous silicon during thermal and cw laser annealing, J. Non-Cryst. Solids 227-230, 943 (1998).
  10. M. Ivanda, O. Gamulin, and W. Kiefer, Mechanism of Raman scattering in amorphous silicon, J. Mol. Struct. 480-481, 651 (1999).
  11. M. Ivanda, et al., XRD, Raman and FT-IR spectroscopic observations of nanosized TiO2 synthesized by the sol/gel method based on esterification reaction, J. Mol. Struct. 480-481, 645 (1999).
  12. M. Ivanda, et al., The effects of crystal size on the Raman spectra of nanophase TiO2, J. Mol. Struct. 480-481, 641 (1999).
  13. M. Ivanda, et al., Low Wavenumber Raman Scattering From Nanosized CdSxSe1-X Crystals Embeded In Glass Matrix, Phys. Rev. B 67, 235329 (2003).
  14. M. Ivanda,  et al., Raman Scattering Of Acoustical Modes Of Silicon Nanoparticles Embedded In Silica Matrix, J. Raman Spectroscopy 37, 161 (2006).
  15. M. Ivanda, K. Furić, S. Musić, M. Ristić, M. Gotić, D. Ristić, et al., Low Frequency Raman Scattering of Nanoparticles and Nanocomposite Materials, The review paper in the Special Issue: Raman Spectroscopy on Nanomaterials, J. Raman Spectroscopy 38, 647 (2007).
  16. M. Ivanda, H. Gebavi, D. Ristic, K. Furic, S. Music, M. Ristic, S. Zonja, P. Biljanovic, O. Gamulin, M. Balarin, et al., Silicon Nanocrystals By Thermal Annealing Of Silicon Reach Oxide Prepared By LPCVD Method, J. Mol. Struct. 834–836,  461 (2007).
  17. M. Balarin, O. Gamulin, M. Ivanda, V. Djerek, O. Celan, S. Music, M. Ristic, and K. Furic, Structure and optical properties of porous silicon prepared on thin epitaxial silicon layer on silicon substrates, J. Mol. Struct. 834–836465 (2007).
  18. D. Ristić, M. Ivanda, K. Furić, et al., Raman scattering on quadrupolar vibrational modes of spherical nanoparticles, J. Appl. Phys. 104, 073519 (2008). 
  19. S. Žonja, M. Očko, M. Ivanda, P. Biljanović, Low temperature resistivity of heavily boron doped LPVCD polysilicon thin films, J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 162002 (2008).
  20. M. Buljan, I.B. Radović, U.V. Desnica, M. Ivanda, et al., Implantation conditions for diamond nanocrystal formation in amorphous silica, J. Appl. Phys., 104, 034315, (2008).
  21. M. Buljan, U.V. Desnica, M. Ivanda, et al.,Formation of three-dimensional quantum-dot superlattices in amorphous systems: Experiments and Monte Carlo simulations, Phys. Rev. B – Cond. Matter and Materials Phys., 79, 035310, (2009).
  22. G. Stefanic, S. Music, M. Ivanda, Phase development of the ZrO2-ZnO system during the thermal treatments of amorphous precursors,  J. Mol. Struct., 924-926, 225 (2009).
  23. D. Ristić, M. Ivanda, K. Furić , Application of the phonon confinement model on the optical Phonon mode of silicon nanoparticles, J. Mol. Struct., 924-926, 291 (2009).
  24. M. Balarin, O. Gamulin, M. Ivanda, M. Kosović, M. Ristić,  D. Ristić, M. Ristić, S. Musić, K. Furić, D. Krilov, J. Brnjas-Kraljević, Structural, optical and electrical characterization of porous silicon prepared on thin silicon epitaxial layer. J. Mol. Struct., 924-926,  285 (2009).    
  25. M. Buljan, ..., M Ivanda, O. Gamulin, et.al., Generation of an ordered Ge quantum dot array in an amorphous silica matrix by ion beam irradiation. Physl Rev. B – Cond. Matt. and Mater. Phys. 81, 085321-1-085321-8 (2010).
  26. S.R.C. Pinto, A. Rolo, M.J.M. Gomes, M. Ivanda, et al. Formation of void lattice after annealing of Ge quantum dot lattice in alumina matrix,  Appl. Phys. Lett.. 97  173113-1-173113-3 (2010). 
  27. D. Ristić, V. Holý, M. Ivanda, Surface characterization of thin silicon-rich oxide films, J. Mol. Struct., 993, 214 (2011).
  28. O. Gamulin, M. Ivanda, V. Mitsa, M. Balarin, M. Kosović, Monitoring structural phase transition of (Ge2S3)x (As2S3)1-x chalcogenide glass with Raman spectroscopy,  J. Mol. Struct., 993, 264 (2011).
  29. Balarin, M., Gamulin, O., Ivanda, M., Kosović, M., Ristić, D., Ristić, M., Musić, S., Kosović M., Ristić, D., Ristić, M., Musić, S., Furić, K., Krilov, D., Optical properties of porous silicon on an insulator layer, J. Mol. Struct., 993, 208 (2011).
  30. G. Stefanic, I.I. Stefanic, S. Music, M. Ivanda, Structural and microstructural changes in the zirconium-indium mixed oxide system during the thermal treatment, J. Mol. Struct., 993, 277 (2011). 

Članstva u profesionalnim udrugama / društvima

1997-2001 Blagajnik Hrvatskog fizikalnog društva
1996- Član Europskog fizikalnog društva
1996- Član Hrvatskog fizikalnog društva
1990- Član Hrvatskog astronomskog društva

Ostalo

Mile Ivanda (51) je znanstveni savjetnik u drugom izboru na Institutu Ruđer Bošković. Pozvani je predavač na 15 međunarodnih konferencija. Održao je i plenarno predavanje na Europskoj konferenciji o molekulskoj spektroskopiji (EUCMOS) 2008. godine. Publicirao je 164 znanstvena rada (1350 citata, H-indeks 22) od kojih 79 u časopisima uključenim u bazu WoS.

Područja istraživanja:

Istraživanje je usmjerene na tanke nanostrukturne silicijske filmove za napredne primjene. Za pripremu uzoraka koriste se metode depozicije kemijskim procesom iz pare pod niskim tlakom (LPCVD) i fizičkim procesom naparavanjem (PVD) uz pomoć električnog luka (e-beam). Na ovaj način dobivaju se razni tanki filmovi, poput kisikom obogaćenog silicija (SiOx), dušikom obogaćenog silicija (SiNx), amorfnog i polikristalnog silicija, rade se dopiranja s borom, fosforom, erbijem i europijem. Porozni silicij se još dodatno priprema elektrokemijskim jetkanjem. Istražuju se strukturna, optička, električna i transportna svojstva te efekti nanostrukturiranja s ciljem razvoja  termoelektričnih elemenata (Peltierova grijala i hladila kao i niskotemperaturni  senzor), sfernih mikroresonatora, optičkih pojačala, laseri), te biološko/kemijskog senzora. Pored toga razvijaju se razvijaju nove metode i tehnike Ramanovog raspršenja poput metode za određivanje distribucije po veličini nanočestica, prijenosnog Ramanovog spektrometra kao i tzv. SERS sonde.

Funkcionalizirane silicijske nanostruktura kao novi termoelektrični materiali 

Nakon Protokola iz Kyota, eksploatacija obnovljivih izvora energije te briga o smanjenju energetskih gubitaka je u svijetu pobudila snažan interes. Termoelektrični (TE) uređaji su u stanju pretvoriti toplinu dobivenu izgaranjem, solarnom energijom ili radioaktivnim izvori u električnu na čisti i nezagađujći način. Kao osnovni materijal poluvodičke elektronike silicij je široko dostupana, relativno jeftin, ekološki prihvatljiv, a tehnološki procesi obrade su izvrsno razvijeni. To su su dovoljni razlozi za pokretanje istraživanja termoelektričnih svojstava silicija. Tako smo nedavno otkrili veliki vrijednost Seebeckov koeficijenta od 200 mikroV / K (glavni fizičko svojstvo TE materijala) u jakodopiranim polikristalnim uzorcima silicija dobivenim LPCVD metodom. Koristeći LPCVD metodu, pripremamo razne vrste  nanostrukturnog silicija (kvantne točke i žice), te ga još dodatno nanostrukturiramo elektrokemiskim jetkanjem kako bi se postigla dobra TE svojstva.

Novi silicijski materijali za optoelectroniku

Istraživanja uključuje dobivanje i karakterizacija novih na siliciju utemeljenih materijala za optoelektronika kao što su kisikom i duškom obogaćeni silicij  (SiOx, SiNx), silicijev oksid i silicij nitrida, nanokristalni silicij, te dopiranja s erbijem i europijem. Ovi materijali u formi tankih filmova nanose se na silicijske mikrosfere kako bi se istražila različita nelinearna svojstva u uvjetima jake laserske iradijacije. Istražuje se stimulirano Ramanovo raspršenje i optičko pojačanje emisije rijetkih zemalja – efekti koji bi mogli voditi razvoju silicijskog lasera. Projekt uključuje suradnju s Institutom za fotoniku i nanotehnologiju IFN-CNR u Trentu koji se financira zajedničkim projektom FP7 Maria Curie u vrijednosti od 150.000 eura.

Porozni silicij pripremljen od silicija na izolatoru

Silicij, iako je poluvodič s tzv. indirektnim energetskim procjepom (slabi svjetlosni emiter), u nanostrukturnoj formi može na sobnoj temperaturi emitirati svjetlost i do 10% učinkovitosti. Za pripemu ovakvog nanostrukturiranog poroznog silicija koristimo tri vrste silicijskih slojeva: silicij na izolatoru (SOI), epitaksijalni silicij i polikristalni silicij. Elektrokemijsko jetkanje s istosmjernom  i izmjeničnom strujom ovakovih slojeva omogućava kreiranje novih morfologija koji pokazuju intenzivnu fotoluminiscencija. Istražuju se mehanizmi luminiscencije, odnosi među optičkog procjepa, emisije svjetlosti i veličine/morfologije nanostruktura. Ciljevi istraživanja su nove jednostavne i jeftine tehnike pripreme poroznog silicija za potrebe razvoja biološko/kemijskih senzora, termoelektrika i biokompatibilnih materijala.

Razvoj novih metoda i tehnika Ramanovog raspršenja

Grupa je ostvarila značajan doprinos razvoju novih metoda Ramanovog raspršenje i tehnika u određivanju veličine raspodjele slobodnih nanočestica. Osim toga razvija se prijenosni Ramanov spektrometar i SERS sonda za različite primjene u medicini, zaštiti okoliša, i analiza hrane.