Ivana Capan

Ivana Capan

dr.sc.

Viši znanstveni suradnik

1312
1272

+ 385 1 468 114

Krilo 1/122

Institut Ruđer Bošković
Bijenička cesta 54
10000 Zagreb
Hrvatska

Obrazovanje

  • veljača 2001.: Obrana diplomskog rada, naslov rada: «Utjecaj strukturnih defekata na komplekse kisika i ugljika u siliciju»;
  • rujan 2004.: Obrana magistarskog rada, naslov rada: «Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem»;
  • studeni 2006: Obrana doktorske disertacije pred međunarodnim povjerenstvom, naslov: «Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation»; Rad je napravljen na Institutu Ruđer Bošković i University of Manchester, Velika Britanija.

Projekti

  1. Tomografija atomskom probom i električna karakterizacija dopiranog germanija (COGITO: 2009-2010);
  2. Silicijske solarne nanokristalne ćelije - svojstva i karakterizacija (UKF:2009-2011);
  3. Proučavanje samostojećih nanokristala silicija (Zaklada HAZU:2011-2012);  
  4. COST  Action MP 0901: Designing Materials for Nanodevices – from Theory to Practice (2011-2013);
  5. Dopiranje poluvodičkih nanokristala metodom neutronske transmutacije (HR-SLO; 2012-2013);
  6. Comparison between electrical and structural properties of doped germanium nanocrystals (Croatian-German bilateral project 2012-2013)

Nagrade i priznanja

  1. Rektorova nagrada za najbolji studentski znanstveni rad 1999.
  2. Stipendija Zaklade The British Scholarship Trust 2002-2003.
  3. Državna nagrada za znanost u kategoriji znanstvenih novaka 2006.

Nastava

  1. Fizika 1, 2 (predavač) - FER, Sveučilište u Zagrebu (2007/2008 - )
  2. Uvod u nanoznanost (predavač) - FER, Sveučilište u Zagrebu (2011/2012 - )

Istaknute publikacije

 

  • K. Kuitunen, F. Tuomisto, J. Slotte,  I. Capan: Divacancy clustering in neutron-irradiated and annealed n -type germanium, Physical Review B 78 (2008) 033202.
  • B. Pivac, P. Dubcek, I. Capan, I. Zulim, T. Betti, H. Zorc, S. Bernstorff: Nano Si Superlattices for the Next Generation Solar Cells, Journal of Nanoscience and Nanotechnology 9 (2009) 3853.
  • I. Capan, B. Pivac, I.D. Hawkins, V.P. Markevich, A.R. Peaker, L. Dobaczewski and R. Jačimović: Neutron-irradiation-induced defects in germanium: A Laplace deep level transient spectroscopy study, Vacuum  84 (2010) 32.
  • M. Buljan, J. Grenzer, V.Holý, N. Radic,T. Misic-Radic, S. Levichev, S. Bernstorff, B. Pivac and I. Capan: Structural and charge trapping properties of two bi-layer (Ge+SiO2)/SiO2 films deposited on rippled substrate, Applied Physics Letters 97 (2010) 163117.
  • Robert Slunjski, Ivana Capan, Branko Pivac, Alessia Le Donne, Simona Binetti, Effects of low-temperature annealing on polycrystalline silicon for solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, 95 (2011) 559.
  • I. Capan, B.Pivac, and R. Slunjski,Electrical characterisation of Si-SiO2 structures, physica status solidi (c) 8 (2011) 816.  
  • Željko Pastuović, Ettore Vittone, Ivana Capan, Milko Jakšić, Probability of divacancy trap production in silicon diodesexposed to focused ion beam irradiation,Applied Physics Letters 98 (2011) 092101.
  • J. Martín-Sánchez, A. Chahboun, M. J. M. Gomes, A. G. Rolo, B. Pivac, and I. Capan, Carrier storage in Ge nanoparticles produced by pulsed laser deposition, physica status solidi RRL 6 (2012) 223.
  • E. M. F. Vieira, J. Martín-Sánchez, A. G. Rolo, A. Parisini, M. Buljan, I. Capan, E. Alves, N. P. Barradas, O. Conde, S. Bernstorff, A. Chahboun, S. Levichev, M. J. M. Gomes,Structural and electrical studies of ultrathin layers withSi0.7Ge0.3 nanocrystalsconfined in a SiGe/SiO2 superlattice, Journal of Applied Physics (2012) in press