Ivana Capan

Ivana Capan

dr.sc.

Viši znanstveni suradnik

1312
1272

+ 385 1 468 114

Krilo 1/122

Institut Ruđer Bošković
Bijenička cesta 54
10000 Zagreb
Hrvatska

Obrazovanje

  • veljača 2001.: Obrana diplomskog rada, naslov rada: «Utjecaj strukturnih defekata na komplekse kisika i ugljika u siliciju»;
  • rujan 2004.: Obrana magistarskog rada, naslov rada: «Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem»;
  • studeni 2006: Obrana doktorske disertacije pred međunarodnim povjerenstvom, naslov: «Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation»; Rad je napravljen na Institutu Ruđer Bošković i University of Manchester, Velika Britanija.

Projekti

  1. Tomografija atomskom probom i električna karakterizacija dopiranog germanija (COGITO: 2009-2010);
  2. Silicijske solarne nanokristalne ćelije - svojstva i karakterizacija (UKF:2009-2011);
  3. Proučavanje samostojećih nanokristala silicija (Zaklada HAZU:2011-2012);  
  4. COST  Action MP 0901: Designing Materials for Nanodevices – from Theory to Practice (2011-2013);
  5. Dopiranje poluvodičkih nanokristala metodom neutronske transmutacije (HR-SLO; 2012-2013);
  6. Comparison between electrical and structural properties of doped germanium nanocrystals (Croatian-German bilateral project 2012-2013)

Nagrade i priznanja

  1. Rektorova nagrada za najbolji studentski znanstveni rad 1999.
  2. Stipendija Zaklade The British Scholarship Trust 2002-2003.
  3. Državna nagrada za znanost u kategoriji znanstvenih novaka 2006.

Nastava

  1. Fizika 1, 2 (predavač) - FER, Sveučilište u Zagrebu (2007/2008 - )
  2. Uvod u nanoznanost (predavač) - FER, Sveučilište u Zagrebu (2011/2012 - )

Istaknute publikacije

 

  • K. Kuitunen, F. Tuomisto, J. Slotte,  I. Capan: Divacancy clustering in neutron-irradiated and annealed n -type germanium, Physical Review B 78 (2008) 033202.
  • B. Pivac, P. Dubcek, I. Capan, I. Zulim, T. Betti, H. Zorc, S. Bernstorff: Nano Si Superlattices for the Next Generation Solar Cells, Journal of Nanoscience and Nanotechnology 9 (2009) 3853.
  • I. Capan, B. Pivac, I.D. Hawkins, V.P. Markevich, A.R. Peaker, L. Dobaczewski and R. Jačimović: Neutron-irradiation-induced defects in germanium: A Laplace deep level transient spectroscopy study, Vacuum  84 (2010) 32.
  • M. Buljan, J. Grenzer, V.Holý, N. Radic,T. Misic-Radic, S. Levichev, S. Bernstorff, B. Pivac and I. Capan: Structural and charge trapping properties of two bi-layer (Ge+SiO2)/SiO2 films deposited on rippled substrate, Applied Physics Letters 97 (2010) 163117.
  • Robert Slunjski, Ivana Capan, Branko Pivac, Alessia Le Donne, Simona Binetti, Effects of low-temperature annealing on polycrystalline silicon for solar cells, Solar Energy Materials and Solar Cells, 95 (2011) 559.
  • I. Capan, B.Pivac, and R. Slunjski,Electrical characterisation of Si-SiO2 structures, physica status solidi (c) 8 (2011) 816.  
  • Željko Pastuović, Ettore Vittone, Ivana Capan, Milko Jakšić, Probability of divacancy trap production in silicon diodesexposed to focused ion beam irradiation,Applied Physics Letters 98 (2011) 092101.
  • J. Martín-Sánchez, A. Chahboun, M. J. M. Gomes, A. G. Rolo, B. Pivac, and I. Capan, Carrier storage in Ge nanoparticles produced by pulsed laser deposition, physica status solidi RRL 6 (2012) 223.
  • E. M. F. Vieira, J. Martín-Sánchez, A. G. Rolo, A. Parisini, M. Buljan, I. Capan, E. Alves, N. P. Barradas, O. Conde, S. Bernstorff, A. Chahboun, S. Levichev, M. J. M. Gomes,Structural and electrical studies of ultrathin layers withSi0.7Ge0.3 nanocrystalsconfined in a SiGe/SiO2 superlattice, Journal of Applied Physics (2012) in press

Ova stranica koristi kolačiće

Neki od tih kolačića nužni su za ispravno funkcioniranje stranice, dok se drugi koriste za praćenje korištenja stranice radi poboljšanja korisničkog iskustva.

Za više informacija pogledajte naše uvjete korištenja.

  • Kolačići koji su nužni za ispravno funkcioniranje stranice. Moguće ih je onemogućiti u postavkama preglednika.