Prijeđite na glavni sadržaj

Minijaturni 'Mondrian' implantiran u silicijevu diodu

10.9.2008.

Implantacija težih iona MeV-skih energija u poluvodiče karakteristična je po tom da je broj proizvedenih defekata u materijalu mnogo veći od samog broja implantiranih iona. Kako defekti u materijalu mijenjaju transportna svojstva naboja u poluvodiču, fokusirani ionski snop može se iskoristiti za 2D i 3D strukturiranje defekata što može biti interesantno i za neke primjene.

Minijaturni 'Mondrian' implantiran u silicijevu diodu

Kao demonstracija strukturiranja defekata, ionskom mikroprobom instaliranom na 6.0 MV akceleratoru IRB-a u silicijevu fotodiodu su implantirani C ioni energije 7 MeV. Defekti su time unešeni na dubinu od oko 7 mikrometara s različitim nivoima gustoća (odnosno boja u prikazu na slici), na ukupnoj površini veličine 400 x 400 mikrometara, a u obliku poznate slike Pieta Mondriana. Ovaj oku nevidljivi 'otisak' može biti oslikan samo ponovnim injektiranjem naboja u diodu uz mjerenje njenog odziva. To se može učiniti metodom IBIC – ion beam induced charge (kao na slici) gdje se naboj injektira ionima, ali isto je moguće izvršiti i elektronima na elektronskom mikroskopu (metoda EBIC) ili laserom (metoda OBIC).

Prikazana slika osvojila je prvu nagradu na 'ICNMTA best image contest' na nedavno održanom znanstvenom skupu - 11th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications.

Kontaktirajte nas

Ova stranica koristi kolačiće

neki od tih kolačića nužni su za ispravno funkcioniranje stranice, dok se drugi koriste za praćenje korištenja stranice radi poboljšanja korisničkog iskustva.

Za više informacija pogledajte naše uvjete korištenja.

  • Kolačići koji su nužni za ispravno funkcioniranje stranice. Moguće ih je onemogućiti u postavkama preglednika.