Minijaturni 'Mondrian' implantiran u silicijevu diodu
Implantacija težih iona MeV-skih energija u poluvodiče karakteristična je po tom da je broj proizvedenih defekata u materijalu mnogo veći od samog broja implantiranih iona. Kako defekti u materijalu mijenjaju transportna svojstva naboja u poluvodiču, fokusirani ionski snop može se iskoristiti za 2D i 3D strukturiranje defekata što može biti interesantno i za neke primjene.
Kao demonstracija strukturiranja defekata, ionskom mikroprobom instaliranom na 6.0 MV akceleratoru IRB-a u silicijevu fotodiodu su implantirani C ioni energije 7 MeV. Defekti su time unešeni na dubinu od oko 7 mikrometara s različitim nivoima gustoća (odnosno boja u prikazu na slici), na ukupnoj površini veličine 400 x 400 mikrometara, a u obliku poznate slike Pieta Mondriana. Ovaj oku nevidljivi 'otisak' može biti oslikan samo ponovnim injektiranjem naboja u diodu uz mjerenje njenog odziva. To se može učiniti metodom IBIC – ion beam induced charge (kao na slici) gdje se naboj injektira ionima, ali isto je moguće izvršiti i elektronima na elektronskom mikroskopu (metoda EBIC) ili laserom (metoda OBIC).
Prikazana slika osvojila je prvu nagradu na 'ICNMTA best image contest' na nedavno održanom znanstvenom skupu - 11th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications.